檢索結果:共1筆資料 檢索策略: "機械工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="薄膜成長率"
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本研究建立以氬電漿餘輝態進行矽薄膜沉積之反應機制,並進行三維沉積反應模擬,工作氣體為矽烷及氫氣,同時計算低壓腔體內之矽薄膜成長速率。本研究共考慮19種重要物種,包含電子、質子、自由基氣體、中性氣體等…